| 型号 | IRF6217TRPBF | 厂家 | INFINEON |
| 批号 | 19+ | 封装 | 8-SO |
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 700 mA
最大漏源电压 150 V
最大漏源电阻值 2.4 Ω
最大栅阈值电压 5V
最小栅阈值电压 3V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
晶体管配置 单
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 2.5 W
最高工作温度 +150 °C
宽度 4mm
每片芯片元件数目 1
典型关断延迟时间 14 ns
长度 5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
晶体管材料 Si
典型接通延迟时间 12 ns
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds 150 pF @ -25 V 系列 HEXFET
高度 1.5mm
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，IRF6217TRPBF现货供应优势出售，型号:IRF6217TRPBF 厂家:INFINEON 批号:19+ 封装:8-SO的信息