| 型号 | IRF630NPBF | 厂家 | INFINEON |
| 批号 | 19+ | 封装 | TO-220 |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 9.3 A
最大漏源电压 200 V
最大漏源电阻值 300 mΩ
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 TO-220AB
安装类型 通孔
晶体管配置 单
引脚数目 3
通道模式 增强
最大功率耗散 82 W
长度 10.54mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V
宽度 4.69mm
晶体管材料 Si
系列 HEXFET
高度 8.77mm
最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
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