| 型号 | IRF7832TRPBF | 厂家 | INFINEON |
| 批号 | 19+ | 封装 | SOIC-8 |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 4.8 mΩ
最大栅阈值电压 2.32V
最小栅阈值电压 1.39V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
晶体管配置 单
引脚数目 8
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 2.5 W
典型关断延迟时间 21 ns
宽度 4mm
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +155 °C
系列 HEXFET
高度 1.5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
长度 5mm
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 4.5 V
晶体管材料 Si
典型接通延迟时间 12 ns
典型输入电容值@Vds 4310 pF @ 15 V 最低工作温度 -55 °C
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