| 型号 | IRF7424TRPBF | 厂家 | INFINEON |
| 批号 | 19+ | 封装 | SOIC-8 |
P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier 的这些 P 沟道 MOSFET 利用最新加工工艺在单位硅面积实现极低导通电阻。此优势为设计人员提供及其高效地设备，用于电池和负载管理应用。SO-8 经改良通过自定义引线框增强热特性和多模能力，特别适合各种电源应用。凭借这些改进，用户可以在应用中使用多个设备，显著减少板空间。该封装设计用于汽相、红外线或波峰焊接工艺
优点：
工业标准引脚输出
P 沟道 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 11 A
最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 22 mΩ
最大栅阈值电压 2.5V
最小栅阈值电压 1V
最大栅源电压 20 V
封装类型 SO
安装类型 表面贴装
晶体管配置 单
引脚数目 8
通道模式 增强
最大功率耗散 2.5 W
最低工作温度 -55 °C
每片芯片元件数目 1
宽度 4mm
长度 5mm
最高工作温度 +150 °C
高度 1.5mm
典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V
系列 IRF7424PbF
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