FDS8884介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 635pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。