FDS8958A介绍：
描述 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
制造商标准提前期 24 周
详细描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A，5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 575pF @ 15V 功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
2007年预计22亿美元的收入 模拟及混合信号技术与设计的领先供应商 电源管理业界的领先供应商 汽车产品领先供应商 医疗、军事/航空和工业等终端市场应用的领先定制产品 世界级、高产量、高性价比的制造 汽车、计算、消费和通信等终端市场应用的领先标准产品
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