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以下是，SI4963DY技术方案资料，型号:SI4963DY 厂家:VISHAY 批号:1036 封装:SOP8 ，请点击“询价”
-SI4963DY技术方案资料 型号:SI4963DY 厂家:VISHAY 批号:1036 封装:SOP8-买卖IC网
SI4963DY技术方案资料
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，SI4963DY技术方案资料

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2015年10月21日
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  • 地址：深圳市福田区景田路81号碧景园D座302
型号SI4963DY厂家VISHAY
批号1036封装SOP8
SI4963DY参数
连续漏极电流: 6.2 A
漏源极击穿电压: - 20 V
漏源导通电阻: 33 mOhms
晶体管极性: P-Channel
栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
功率耗散: 2 W
下降时间: 45 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 32 ns
SI4963DY应用程序
.负荷开关
.马达驱动
.DC / DC转换
.电源管理
SI4963DY描述
P沟道MOSFET指定2.5 v ruggedgate版本。优化了电源管理应用程序与广泛的gatedrive电压(2.5 v - 12 v)。
SI4963DY特性
.-6.2,-20 V,RDS= 33 m?@ vg = -4.5 V RDS= 50 m?@ vg = -2.5 V
.延长vg(±12 v)为电池应用范围
.低闸极电荷
.高性能沟extremelylow RDS技术
.高功率和电流处理能力
SI4963DY典型特征图

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