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以下是，威世SI4800BDY-T1-E3一级代理，型号:SI4800BDY-T1-E3 厂家:VISHAY 批号:1233 封装:SOP8 ，请点击“询价”
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威世SI4800BDY-T1-E3一级代理
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，威世SI4800BDY-T1-E3一级代理

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2015年10月21日
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  • 地址：深圳市福田区景田路81号碧景园D座302
型号SI4800BDY-T1-E3厂家VISHAY
批号1233封装SOP8
SI4800BDY-T1-E3参数
连续漏极电流: 6.5 A
漏源极击穿电压: 30 V
漏源导通电阻: 18.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 150 C
功率耗散: 1.3 W
下降时间: 12 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 12 ns
SI4800BDY-T1-E3特性
.根据IEC 61249-2-21为无卤
.TrenchFET?功率MOSFET
.高效优化PWM
.100%的UIS和Rg测试
SI4800BDY-T1-E3优势
因为小,表面贴装包和回流
这些焊接是最常见的方式
贴在电脑板,连接的“热”
平面铜垫尚未使用。即使
使用附加铜平面区域,应该没有
在焊接过程中问题。实际的焊接
定义的连接焊接掩模开口。通过
结合基本与铜平面足迹
漏针,自动焊接掩模一代发生。
记住最后一个项目是宽度的痕迹。
宽度必须绝对最低功率跟踪
由当前的数量必须携带。为
热的原因,这个应该至少最小宽度
0.020英寸。
SI4800BDY-T1-E3规格尺寸图

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