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原厂SI4378DY-T1-E3价格最低
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，原厂SI4378DY-T1-E3价格最低

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2015年10月21日
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型号SI4378DY-T1-E3厂家VISHAY
批号1123封装SOP8
SI4378DY-T1-E3参数
连续漏极电流: 19 A
漏源极击穿电压: 20 V
漏源导通电阻: 27 mOhms
晶体管极性: N-Channel
栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
功率耗散: 1.6 W
下降时间: 65 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 65 ns
SI4378DY-T1-E3特性
.根据IEC 61249-2-21为无卤
.超低导通电阻使用高密度TrenchFET?创第二功率MOSFET技术
.线路优化
.100% Rg测试
SI4378DY-T1-E3应用程序
.同步整流
.荷载点
SI4378DY-T1-E3一般描述
表面贴装小脚功率场效应管使用
集成电路和小信号包
已经被修改为传热能力
所需的电力设备。引线框架材料和
设计、成型化合物和死附加材料
改变,而包的足迹依然存在
相同的。
SI4378DY-T1-E3尺寸图

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