| NLAST44599MNR2描述 |
| .NLAST44599是先进CMOS双?独立DPDT(双极?双投)模拟开关 |
| .实现了高?速度传播，低延迟和低电阻,同时保持CMOS耗散。 |
| .DPDT控制模拟和数字电压功能 |
| .不同的全功率?供应范围(从VCC接地)。 |
| .设备设计的导通电阻 |
| .和更多的线性输入电压低于典型的CMOS的模拟开关。 |
| .选择输入结构时提供保护 |
| 应用电压0 V,5.5 V之间 |
| .输入结构有助于防止设备造成破坏 |
| 由电源电压?输入/输出电压不匹配,电池备份,热插入等。 |
| .NLAST44599还可以用作四2??1多路复用器? |
| .解复用器模拟开关和两个选择针,每个控件两个多路复用器?信号分离器。 |
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| NLAST44599MNR2特点 |
| .选择针与TTL兼容的水平 |
| .通道选择5.5 V输入过压宽容 |
| .快速交换和传播速度 |
| .低功耗:ICC = 2(Max)TA = 25°C |
| .二极管保护提供频道选择输入 |
| .改善线性度和输入电压较低的导通电阻 |
| .门闩性能超过300
mA |
| .防静电性能:人体模型> 2000 V;机模型> 100 V |
.芯片复杂性:158场效应晶体管
NLAST44599MNR2封装引脚图
NLAST44599MNR2111.jpg) |