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供应H55S5122DFR-60M-C
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H55S5122DFR-60M-C，供应H55S5122DFR-60M-C

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2012年08月08日
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型号H55S5122DFR-60M-C厂家HY
封装BGA  
产品详细说明技术参数：制造厂商： HYNIX 产品类别：工作电压： 工作温度：存储介质类别： I/O接口位宽: 存储密度： 损坏区块： 芯片版本：芯片特征： 封装类型：BGA 封装材料：无铅 mobile sdram 与一般的sdram比较更适合移动、手持设备使用；电源电压范围：1.8V 封装不同：小封装 BGA 没有一般SDRAM速度快，目前最大可达到100多兆；省电设计：TCSR:Temperature Compensated Self Refresh PASR：Partial Array Self Refresh DS：Driver Strength 初试化时需要设置MOBILE SD的MR和EMR两个寄存器。 FLASH的模式设置为异步还是同步，要看CPU是否支持，系统是否需要用FLASH的同步模式；同步模式的设置是需要驱动来做的。
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