H27S1G8F2BFR-BI

产品详细说明H27S1G8F2BFR-BI技术参数：制造厂商：HYNIX 产品类别：NAND FLASH 工作电压：1.8V 工作温度：-40--80 存储介质类别： I/O接口位宽: x 8bit 存储密度：损坏区块： 芯片版本：芯片特征： 封装类型：FBGA 封装材料： 无铅包装：TRAY 快闪存储器（英语：Flash Memory），简称闪存，是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性资料储存，以及在电脑与其他数位产品间交换传输资料，如储存卡与随身碟。闪存是一种特殊的、以大区块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除掉就会清除掉整颗芯片上的资料。闪存的成本远较可以字节为单位写入的EEPROM来的低，也因此成为非挥发性固态储存最重要也最广为采纳的技术。像是PDA, 手提电脑, 数位随身听, 数码相机与手机上均可见到闪存。此外，闪存在游戏主机上的采用也日渐增加，藉以取代储存游戏资料用的EEPROM或带有电池的SRAM。闪存是非挥发性的内存。这表示单就保存资料而言, 它是不需要消耗电力的。此外闪存也具有相当低的读取延迟(虽然没有电脑主内存的DRAM那么快)。与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被行动装置广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。