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IRF5210STRLPBF正品保障公司现货量大从优
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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2019年06月10日
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  • 联系人:刘连红 (女士) QQ 3004716258QQ 3004771367
  • 电话:18205346238
  • 传真:-
  • 邮件:llh@buyelec.net
  • 地址:深圳市福田区华强北华强广场A座14
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 38 A
最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻 60 mΩ
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
晶体管配置
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 170 W
长度 10.67mm
每片芯片元件数目 1
宽度 9.65mm
最高工作温度 +150 °C
系列 HEXFET
高度 4.83mm
典型关断延迟时间 72 ns
典型输入电容值@Vds 2780 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V
最低工作温度 -55 °C
典型接通延迟时间 14 ns
晶体管材料 Si
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
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