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IPT059N15N3ATMA1现货供应优势出售
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，IPT059N15N3ATMA1现货供应优势出售

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2019年06月11日
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  • 地址：深圳市福田区华强北华强广场A座14
品牌INFINEON型号IPT059N15N3ATMA1
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 155 A
最大漏源电压 150 V
最大漏源电阻值 6.2 mΩ
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 HSOF
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
晶体管配置 单
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 375 W
最高工作温度 +175 °C
典型输入电容值@Vds 5400 pF @ 75 V
系列 OptiMOS 3
高度 2.4mm
典型栅极电荷@Vgs 69 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 1
宽度 10.1mm
典型接通延迟时间 25 ns
最低工作温度 -55 °C
晶体管材料 Si
典型关断延迟时间 46 ns
正向跨导 172S
正向二极管电压 1.2V
尺寸 10.58 x 10.1 x 2.4mm
长度 10.58mm
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