TN2106K1-G介绍：
描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
制造商标准提前期 8 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 MICrochip Technology
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 280mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360mW（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不过有些新的高级制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。
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