FDS6930A介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
制造商标准提前期 6 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战
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