IRLML6402PBF介绍：
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） MICro3?/SOT-23
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 633pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Micro3?/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。
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