制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET 

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds

漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:360 mOhmsVgs

 - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:SinglePd-

功率耗散:25 W

通道模式:Enhancement

系列:STW13NM60N 

晶体管类型:1 N-Channel 

商标:STMicroelectronics 

下降时间:10 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:8 ns 

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:330 mg

       晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。