| 品牌 | IR | 型号 | IRFB4110PBF |
| 类别 | 直插 | 结构 | 点接触型 |
| 封装形式 | TO-220-3 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 电流容量 | 大功率 | 最大整流电流 | 180 |
| 最大反向电压 | 100 | | |
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:180 ARds
On-漏源导通电阻:3.7 mOhmsV
gs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:150 nC
配置:SingleP
d-功率耗散:370 W
高度:15.65 mm
长度:10 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.4 mm
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
零件号别名:SP001570598
单位重量:6 g
基本信息
中文名称 金属-氧化层 半导体场效晶体管
外文名称 MOSFET
核心 金属—氧化层—半导体电容
发明时间 1960年
发明人 D. Kahng和 Martin Atalla
发明机构 贝尔实验室（Bell Lab.）
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以上是，MOSFET IRFB4110PBF 原装正品，品牌:IR 型号:IRFB4110PBF 类别:直插 结构:点接触型 封装形式:TO-220-3 封装材料:塑料封装 电流容量:大功率 最大整流电流:180 最大反向电压:100的信息