制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

封装 / 箱体:TO-3P

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V在25 C的连续

集电极电流:80 APd-

功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:600-650V IGBTs

集电极最大连续电流 Ic:60 A

 商标:STMicroelectronics 

栅极—射极漏泄电流:250 nA 

产品类型:IGBT Transistors 

工厂包装数量:300 

子类别:IGBTs

单位重量:6.756 g