制造商
Vishay SilIConix
制造商零件编号
SQJ962EP-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 475pF @ 25V 功率 - 最大值 25W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8 Dual
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