制造商
STMICroelectronics
制造商零件编号
STP2NK100Z
描述 MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 34 周
详细描述 通孔 N 沟道 1000V 1.85A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB系列 SuperMESH??
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 499pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 70W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.5 欧姆 @ 900mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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作为“低功耗&坚强&安全”16bit通用微控制器ML62Q1000系列入门套件的第3波产品，目前已经开始在网上销.
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