制造商
Vishay SilIConix
制造商零件编号
SQM110P04-04L-GE3
描述 MOSFET P-CH 40V 120A TO263
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 P 沟道 40V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 330nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13980pF @ 20V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263（D2Pak）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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