Digi-Key 零件编号 FQB3N60CTM-ND
制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
FQB3N60CTM
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 565pF @ 25V Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 75W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.4 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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