Digi-Key 零件编号 FQB50N06LTMFSTR-ND
厂方库存 ?: 16,000
制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
FQB50N06LTM
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 52.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1630pF @ 25V Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.75W（Ta），121W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 26.2A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
前有报道称，长江存储正在迅速开发3D NAND闪存，要知道这项时下最先进的技术正由三星公司主导并发展着。McClean搞不懂了，中国企业是如何避开三星专利做出3D NAND的……
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