Digi-Key 零件编号 FQB4N20LTM-ND
制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
FQB4N20LTM
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 310pF @ 25V Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.35 欧姆 @ 1.9A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
目前在全球 O 屏幕为绝对领导者的三星，想要在未来持续保持领先，就不得不在技术更新速度上加快。而过去，曾经是力推曲面电视厂商的三星，如今已经决定放弃曲面电视的发展，转向更先进 QLED 量子点显示技术发展了。
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