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以下是，Toshiba 2SJ407 P沟道 MOSFET 晶体管 5A 200V 3引脚 TO-220NIS ，品牌:Toshiba 型号:2SJ407 封装:TO-220NIS 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道 ，请点击“询价”
-Toshiba 2SJ407 P沟道 MOSFET 晶体管 5A 200V 3引脚 TO-220NIS 品牌:Toshiba 型号:2SJ407 封装:TO-220NIS 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道-买卖IC网
Toshiba 2SJ407 P沟道 MOSFET 晶体管 5A 200V 3引脚 TO-220NIS
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，Toshiba 2SJ407 P沟道 MOSFET 晶体管 5A 200V 3引脚 TO-220NIS

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年11月27日
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  • 地址：华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
品牌Toshiba型号2SJ407
封装TO-220NIS类型绝缘栅型场效应管
沟道类型P沟道  
深圳市鑫弘瑞电子有限公司是专业IC方案服务商，经营品种齐全，产品广泛应用于电源、通信、数码、汽车、医疗、工、民用电子等设备。我们秉承互惠互利、共发展的原则，热忱欢迎国内外经销商、厂商前来洽谈合作，共谋发展！联系方式：0755-82764860、18927434041，QQ：183818172 / 3044067800 蔡经理！



产品技术参数:



通道类型P

最大连续漏极电流5 A

最大漏源电压200 V

最大漏源电阻值1 Ω

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220NIS

安装类型通孔

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散30000 mW

典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 10 V

每片芯片元件数目1

高度8.1mm

长度10mm

典型输入电容值@Vds800 pF @ 10 V

宽度4.5mm

最低工作温度-55 °C

尺寸10 x 4.5 x 8.1mm

最高工作温度+150 °C





产品实拍图：

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