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-Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装 品牌:Toshiba 型号:2SJ412 封装:TO-220FL 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道-买卖IC网
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以下是,Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装,品牌:Toshiba 型号:2SJ412 封装:TO-220FL 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道
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Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装
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,Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装
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供货总量: 9999pcs
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发 货 期: 7 天内发货
所 在 地: 广东 深圳市 福田区
发布日期: 2017年11月27日
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邮件:863079188@qq.com
地址:华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
的详细信息
品牌
Toshiba
型号
2SJ412
封装
TO-220FL
类型
绝缘栅型场效应管
沟道类型
P沟道
深圳市鑫弘瑞电子有限公司是专业IC方案服务商,经营品种齐全,产品广泛应用于
电源
、通信、数码、汽车、医疗、工、民用电子等设备。我们秉承互惠互利、共发展的原则,热忱欢迎国内外经销商、厂商前来洽谈合作,共谋发展!联系方式:0755-82764860、18927434041,QQ:183818172 / 3044067800 蔡经理!
产品技术参数:
通道类型
P
最大连续漏极电流
16 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源
电阻
值
210 mΩ
最大栅源电压
-20 V、+20 V
封装类型
TO-220FL/SM
安装类型
通孔
引脚数目
3
通道模式
增强
类别
功率 MOSFET
最大功率耗散
60000 mW
典型输入
电容
值@Vds
1100 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
48 nC @ 10 V
宽度
4.7mm
每片芯片元件数目
1
最低工作温度
-55 °C
高度
9.1mm
最高工作温度
+150 °C
尺寸
10.3 x 4.7 x 9.1mm
长度
10.3mm
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