以下是,Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装,品牌:Toshiba 型号:2SJ412 封装:TO-220FL 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道 ,请点击“询价”
-Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装 品牌:Toshiba 型号:2SJ412 封装:TO-220FL 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道-买卖IC网
Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装
查看大图

,Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装

  • 当 前 价: -
  • 最小起订: 1pcs
  • 供货总量: 9999pcs
  • 点此询价
  • 发 货 期: 7 天内发货
  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2017年11月27日
深圳市鑫弘瑞电子有限公司进入企业网站查看联系方式
  • 联系人:蔡小姐 (女士) QQ 863079188QQ 3393037545
  • 电话:0755-82764860/18927434041
  • 传真:-
  • 邮件:863079188@qq.com
  • 地址:华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
品牌Toshiba型号2SJ412
封装TO-220FL类型绝缘栅型场效应管
沟道类型P沟道  
深圳市鑫弘瑞电子有限公司是专业IC方案服务商,经营品种齐全,产品广泛应用于电源、通信、数码、汽车、医疗、工、民用电子等设备。我们秉承互惠互利、共发展的原则,热忱欢迎国内外经销商、厂商前来洽谈合作,共谋发展!联系方式:0755-82764860、18927434041,QQ:183818172 / 3044067800 蔡经理!



产品技术参数:



通道类型P

最大连续漏极电流16 A

最大漏源电压100 V

最大漏源电阻210 mΩ

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220FL/SM

安装类型通孔

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散60000 mW

典型输入电容值@Vds1100 pF @ 10 V

典型栅极电荷@Vgs48 nC @ 10 V

宽度4.7mm

每片芯片元件数目1

最低工作温度-55 °C

高度9.1mm

最高工作温度+150 °C

尺寸10.3 x 4.7 x 9.1mm

长度10.3mm






产品实拍图:

图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
免责声明: 以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是,Toshiba 2SJ412 P沟道 MOSFET 晶体管 16A 100V 3引脚 TO-220FL/SM封装,品牌:Toshiba 型号:2SJ412 封装:TO-220FL 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道的信息
由北京辉创互动信息技术有限公司独家运营
粤ICP备14064281号 客服群:4031849 交流群:4031839 商务合作:QQ 775851086