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以下是，Toshiba 2SK1120 N沟道 MOSFET 晶体管 8A 1000V 3引脚 TO-3PN封装，品牌:Toshiba 型号:2SK1120 封装:TO-3PN 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道 ，请点击“询价”
-Toshiba 2SK1120 N沟道 MOSFET 晶体管 8A 1000V 3引脚 TO-3PN封装 品牌:Toshiba 型号:2SK1120 封装:TO-3PN 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:P沟道-买卖IC网
Toshiba 2SK1120 N沟道 MOSFET 晶体管 8A 1000V 3引脚 TO-3PN封装
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，Toshiba 2SK1120 N沟道 MOSFET 晶体管 8A 1000V 3引脚 TO-3PN封装

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年11月27日
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  • 地址：华强北街道华强电子世界2号楼4楼23C255
品牌Toshiba型号2SK1120
封装TO-3PN类型绝缘栅型场效应管
沟道类型P沟道  
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产品详细信息

MOSFET N 通道，已停产 2SK 系列，Toshiba

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产品技术参数:



通道类型N

最大连续漏极电流8 A

最大漏源电压1000 V

最大漏源电阻值1.8 Ω

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-3PN

安装类型通孔

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散150000 mW

宽度4.8mm

最低工作温度-55 °C

典型栅极电荷@Vgs120 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds1300 pF @ 25 V

每片芯片元件数目1

长度15.9mm

高度19mm

尺寸15.9 x 4.8 x 19mm

最高工作温度+150 °C






产品实拍图：

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