FQA24N50 概述如下:
?这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的,平面条形, DMOS技术。这种先进的技术已特别针对最大限度地减少通态电阻,优越的开关性能,并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些装置是公适用于高效率开关模式电源,其中,体二极管被用于诸如移相ZVS,基本的全桥拓扑结构。
产品参数图如下: