IRF640NS 概述如下：

?第五代HEXFET从功率MOSFET国际整流器利用先进的加工技术，

以实现极低的导通电阻元硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计， 
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HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置各种应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用的功耗水平到大约50瓦。

的低热阻和在TO- 220封装低的成本促进其广泛接受整个行业。

对D2白是一种表面贴装功率封装能力泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。

它提供了最高功率能力和尽可能低的导通在任何现有的表面电阻贴装封装。

该D2白是适合的，因为高电流应用其较低的内部连接性和

功耗最高2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF640NL ）可用于低配置文件应用程序。

产品参数图如下：

产品图如下：