FQPF5N90C 概述如下：
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的，平面条形， DMOS技术。这种先进的技术已特别针对最大限度地减少通态电阻，优越的开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些装置是公适用于高效率开关模式电源。
产品图如下：