DN502PI  概述如下：

该IXDF502 ， IXDI502和IXDN502每个由两个2-对于驾驶放大器的CMOS高速MOSFET栅极驱动器

最新IXYS MOSFET的&的IGBT 。

每双输出可源出或吸入2安培的峰值电流，而产生的电压上升和小于15ns的下降时间。

该每个驱动器的输入为TTL或CMOS兼容，几乎不受闭锁。 

专利设计创新消除交叉传导电流"shoot - through" 。

改进的速度和驱动能力进一步增强通过非常快&匹配的上升和下降时间。

该IXDF502配置有一个闸极驱动器反相加一门极驱动器非反相。

该IXDI502被配置置的为双反相栅极驱动器，以及IXDN502是配置为双非反相栅极驱动器。

该IXDF502 ， IXDI502和IXDN502在每个可用8引脚P- DIP （ PI ）封装， 8引脚SOIC （ SIA ）封

装年龄和6引脚DFN （D1）的包装， （它占据低于65 ％的8引脚SOIC的电路板面积） 。

应用于：

●驱动MOSFET和IGBT

●电机控制

●线路驱动器

●脉冲发生器

●本地电源ON / OFF开关

●开关模式电源（ SMPS ）

●DC到DC转换

●脉冲变压器驱动器

●D类开关放大器

●功率电荷泵

产品参数图如下：

产品图如下：