的imp3205 / imp3206 / imp3207 / imp3208高电压，高速功率MOSFET与依赖性高和低的IGBT驱动器侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入与标准兼容CMOS输出或输入通道，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流最小驱动程序的缓冲级交叉传导。浮动通道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高端配置的OP—源达600伏特。

特点:

1>用于引导操作的浮动通道 2>充分运作+600 3>耐阴性的瞬态电压DV / dt的免疫 4>栅极驱动电压范围从10到20V 5>欠压锁定 6>3.3V，5V和15V的输入逻辑兼容交叉传导预防逻辑为两个通道匹配的传播延迟 7>高端输出与输入相（imp3205欣/ imp3206）或不与欣输入阶段（imp3207 / imp3208） 8>低侧输出与输入相（林imp3206 / imp3208）或从林输入阶段（imp3205 / imp3207）