IMP3211是一种半桥驱动芯片，内部集成了两个互相关联的输出通道，两个输出驱动信号逻辑相

反，用于驱动外部的高压、高速功率MOSFET或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）从而实现半桥驱动。特别是内部的高压驱动通道，采用了电压悬浮模式来驱动高电压端的外部功率MOSFET，在工作当中要承受的最高电压达到600V。 输出信号的频率由IN管脚输入的方波信号决定， 实现输入输出的一致性。两个输出驱动通道就像是能够输出很大电流脉冲的电流缓冲器，而由于两个输出通道之间有死区时间存在，可以保证两路输出驱动不会同时导通。

特性:

1、输出级的高压部分采用电压悬浮的自举 模式，最大的工作电压可以达到600V 2、栅极驱动的电压范围10V～20V 3、两个输出驱动通道都有欠压保护功能 4、信号输入端接下拉电阻，再接施密特触发器 5、两个输出通道相对于输入的延时完全匹配 6、内部死区时间设定 7、高电压输出端的逻辑和输入信号相同 8、绿色无铅产品

9, 采用DIP/SOP8封装