IMP3236(S)是具有3个独立高压通道和3个独立低压通道的，高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，高低通道搭配用于3相驱动。才用HVIC工艺可以将600V高压期间和低压模块结合在一起，形成一个芯片来生产。逻辑型号输入端兼容CMOS或LSTTL输出型号，最低适合3.3V逻辑信号。过流保护模块通过采集外部电流监控电阻上的信号来关断所有的6个通道。EN端口可以同时控制6个通道，决定关闭或者有效。一个open-drain  FAULT信号会在过流保护时，或者欠压保护时输出低电压。 过流保护状态会在一段延时之后自动退出，延时时间可调，由RCIN端口外接得RC网络决定。输出驱动级是一个能输出高电平脉冲电流的缓冲器，实现最小的驱动跨导。传输延时匹配，使高频应用变得简单。悬浮高压通道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或者IGBT，电压可以达到600V。

特性:

1> 悬浮高压通道可以实现自举模式，最高电压达 到+600 V，可以承受瞬时负电压 2>栅极驱动的电源电压范围10 V to 20 V 3> 对所有通道具有欠压锁定功能 4> 过流保护关断所有6个通道 5> 3个独立的半桥驱动级 6> 所有通道的传输延时匹配

7> 跨导预防逻辑 8> 低压侧输出信号与输入信号反相，高压侧输出 信号与输入信号反相 9> 输入兼容3.3 V逻辑信号 10> 低di/dt栅极驱动使具有更好的抗噪声能力 11> 错误状态有外部电路实现可调整延时自动消除 功能 12> 所有材料都无铅

13> 所用采用DIP/SOP28封装