THB6064H 大功率、高细分两相混合式步进电机芯片式驱动器
THB6064H是大功率、高细分两相混合式步进电机驱动芯片，外围电路简单、工作可靠、使用方便。
一、特性
● 双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 Ron = 0.4 Ω（上桥+下桥）
● 高耐压 50VDC，大电流 4.5A（峰值）
● 多细分可选（1/2，1/8，1/10，1/16，1/20，1/32，1/40，1/64）
● 自动半流锁定
● 衰减方式连续可调
● 内置温度保护及过流保护
二、框图
三、管脚说明
四、电器参数
最高额定值 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
正常运行参数范围 Operating Range (Ta = -30 to 85°C)
电器特性 ElectrICal Characteristics (Ta = 25°C, VDD = 5 V, VM = 24 V )
输出参数 Output BLOCK
五、使用说明
1．M1、M2、M3可选择八种不同细分状态
2．PFD：为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效果：
3．Vref：电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值
Io（100%）=Vref *（1/3）*（1/Rs）
Vref取值范围：0.5V—3.0V
【Rs为检测电阻】 推荐值为0.25Ω/2W
4．Down：半流锁定控制，电机锁定时降低功耗的功能（参见原理图）
当CLK小于1.5Hz时，DOWN输出为0；
当CLK大于1.5Hz时，DOWN输出为1；
DOWN常态为1此时Vref电压由R1和R2分压决定形成设定电流，当启动半流锁定功能时，DOWN=0，Rdown参与R1、R2分压，从而降低了Vref,也就减小了设定电流，Rdown的阻值决定电流下降的幅度。从而降低了VREF，也就减少了设定电流R1的阻值决定电流下降的幅度。
即：改变锁定电阻Rdown的阻值，可获得不同的锁定电流值。
5．ALERT ：过流及过温保护输出端
正常状态下，ALERT=1；
当有过流或过温现象时，此端输出为0
6. CLK：脉冲输入端（参见表一）
-0.2V—VDD方波，脉冲频率最高100KHz，脉冲宽度最小4μS
7. CW/CCW：电机正反转控制端（参见表一）
CW/CCW为0时，电机正转
CW/CCW为1时，电机反转
8. RESTER：上电复位端（参见表一）
为1时，芯片工作
9. ENABLE：使能端（参见表一）
为0时，芯片输出为0
六、参考电路图
封装尺寸 Package Dimensions
重量：9.86