低功耗、高集成的两相混合式步进电机驱动芯片 THB6016H
THB6016H是低功耗、高集成的两相混合式步进电机驱动芯片，该芯片内置双全桥MOSFET驱动、温度保护及过流保护，采用HZIP25-P-1.27封装（尺寸：36×17mm），每相额定电流2.5A、最大峰值3.5A，最大工作电压40V，最小4.5V，外围电路简单、工作可靠、使用方便。
本公司提供参考驱动电路，产品运行平稳、低振动、低噪音。
一、特性● 双全桥MOSFET驱动● 耐压40V● 电流3.5A（峰值）● 具有１／2细分、１／4细分、１／８细分、１／16细分运行方式可供选择● 内置温度保护及过流保护● 采用HZIP25-P-1.27封装● 外围电路简单
二、管脚说明1、TQ2：电机力矩控制端，即可以选择不同的工作电流，也可以在电机不转时作半流锁定功能2、TQ1：
3、CLK：输入脉冲4、ENABLE：使能端5、RESET：上电复位6、地线7、OSC：斩波频率控制端：C=1000PF，f=44KHz；C=330PF，f=130KHz8、VH：驱动电压小于40VDC9、MB：电机绕组B相10、地线11、RB：B相电流检测端，须大于0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W＝2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W＝1A 12、MB-：电机绕组B相13、MA：电机绕组A相14、RA：A相电流检测端，须大于0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W＝2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W＝1A 15、地线16、MA-：电机绕组A相17、空18、VH：驱动电压小于40VDC19、TSD：温度保护，芯片温度大于150℃自动断开所有输出20、VCC：5V稳压电源21：DIR：正反转控制22、M2：细分数选择端23、M1：细分数选择端
24、PFD2：衰减方式控制端25、PFD1：衰减方式控制端
斩波频率说明：电容值：450P慢衰减：2细分 斩波时间：40us 占空比（高—低）：4—36快衰减：16细分 斩波时间：40us 占空比（高—低）：20—20电容值：150P慢衰减：2细分 斩波时间：15us 占空比（高—低）：1.5—13.5快衰减：16细分 斩波时间：15us 占空比（高—低）：7.5—7.5
三、THB6016H原理图
四、封装图