StrongIRFET? 功率 MOSFET，Infineon
Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 195 A
最大漏源电压 40 V
最大栅阈值电压 3.9V
最小栅阈值电压 2.2V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 TO-220AB
安装类型 通孔
引脚数目 3
晶体管配置 单
通道模式 增强
最大功率耗散 375 W
最低工作温度 -55 °C
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
宽度 4.83mm
长度 10.67mm
典型栅极电荷@Vgs 460 nC @ 10 V
系列 StrongIRFET
最高工作温度 +175 °C
高度 16.51mm
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，IRFB7430PBF现货供应优势出售，品牌:INFINEON 型号:IRFB7430PBF的信息