| 品牌 | INFINEON | 型号 | IRFR1205TRPBF |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 44 A
最大漏源电压 55 V
最大漏源电阻值 27 mΩ
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
晶体管配置 单
通道模式 增强
最大功率耗散 107 W
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 65 nC @ 10 V
晶体管材料 Si
长度 6.73mm
宽度 6.22mm
每片芯片元件数目 1
系列 HEXFET
最高工作温度 +175 °C
高度 2.39mm
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