| 型号 | CSD25402Q3A | 厂家 | TI |
| 批号 | 18+ | 封装 | * |
产品概述
CSD25402Q3A是一款NexFET?P沟道功率MOSFET, 最大限度地降低负载管理应用中的功率转换损耗. 3.3×3.3mm封装, 可提供出色的散热性能.
超低Qg与Qgd
低热阻
低RDS (ON)
无卤素
塑料包装
工作结温范围-55至150°C
应用
产品信息
晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -35A 漏源电压, Vds: -20V 在电阻RDS（上）: 0.0077ohm 电压 @ Rds测量: -4.5V 阈值电压 Vgs: 900mV 功耗 Pd: 69W 晶体管封装类型: VSON 针脚数: 8引脚 工作温度最高值: 125°C 产品范围: - 汽车质量标准: - MSL: MSL 1 -无限制
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