2N7002-T1介绍：
描述 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
制造商标准提前期 33 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 115mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.