DMN3150L-7介绍：
描述 MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 28V 3.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 28V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 305pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
成立於1966年，是美国Nasdaq上市企业，为敦南科技转投资企业，主要从事半导体分立元件制造生产，Diodes Inc.与光宝集团具备合作夥伴关系，双方共同开发、生产及分销产品，服务厂商包括通讯、电脑、工业、电子产品和汽车工业等。
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