FDS3590介绍：
描述 MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
制造商标准提前期 16 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 80V 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 39 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1180pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
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