FQA6N90C介绍：
描述 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
制造商标准提前期 10 周
详细描述 通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 QFET?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.3 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 198W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PN
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。晶体管是非常有优势的。
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