以下是,晶体管 HN1B04FU-GR 双极 (BJT) - 阵列,类型:分立半导体产品 ,请点击“询价”
-晶体管   HN1B04FU-GR     双极 (BJT) - 阵列 类型:分立半导体产品-买卖IC网
晶体管 HN1B04FU-GR 双极 (BJT) - 阵列
查看大图

,晶体管 HN1B04FU-GR 双极 (BJT) - 阵列

  • 当 前 价: -
  • 最小起订: -pcs
  • 供货总量: -pcs
  • 点此询价
  • 发 货 期: 7 天内发货
  • 所 在 地: 广东 深圳市 宝安区
  • 发布日期: 2018年09月11日
安富微(深圳)商贸有限公司进入企业网站查看联系方式
  • 联系人:唐小姐/王先生 (先生) QQ 3004683282QQ 3003798144MSN:3004683282@qq.com
  • 电话:0755-88999344
  • 传真:-
  • 邮件:3004683282@qq.com
  • 地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
类型分立半导体产品  
HN1B04FU-GR介绍:

描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

制造商标准提前期 12 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 -

包装   带卷(TR)

零件状态 在售

晶体管类型 NPN,PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值) 50V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V

功率 - 最大值 200mW

频率 - 跃迁 150MHz

工作温度 125°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装 US6

比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的。另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度。



2000年,东芝半导体的销售额继INTEL之后,位居世界第二位。笔记本电脑的市场占有率连续7年保持世界第一。至2000年底,IT产值在东芝总产值中所占的比例已经达到了74%。
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
免责声明: 以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是,晶体管 HN1B04FU-GR 双极 (BJT) - 阵列,类型:分立半导体产品的信息
由北京辉创互动信息技术有限公司独家运营
粤ICP备14064281号 客服群:4031849 交流群:4031839 商务合作:QQ 775851086