HN1B04FU-GR介绍:
描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
制造商标准提前期 12 周
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6
比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的。另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度。
2000年,东芝半导体的销售额继INTEL之后,位居世界第二位。笔记本电脑的市场占有率连续7年保持世界第一。至2000年底,IT产值在东芝总产值中所占的比例已经达到了74%。
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