ZXMN3A14FTA介绍:
描述 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
制造商标准提前期 20 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.6nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 448pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
Diodes 公司是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商,服务市场主要面向电子消费品、计算、通讯、工业和汽车制造业。
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