PUMD9,115介绍：
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（IC）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
电阻器 - 发射极基底（R2） 47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 250μA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值） 1μA
频率 - 跃迁 -
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 6-TSSOP
基本零件编号 P*MD9
晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
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