EMH1T2R介绍：
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
制造商标准提前期 10 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
电阻器 - 发射极基底（R2） 22 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值） 500nA
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 EMT6
基本零件编号 *MH1
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，晶体管 EMH1T2R 双极 (BJT) - 阵列，类型:分立半导体产品的信息