RQ3E150BNTB介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 40 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5.3 毫欧 @ 15A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳 8-PowerVDFN
这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。MOSFET在数位讯号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。
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